如何對(duì)半導體晶圓上分(fēn)布的(de)壓電陶瓷進行極化(huà)

如何對(duì)半導體晶圓上分(fēn)布的(de)壓電陶瓷進行極化(huà)

JYPZT-JHX01型晶圓陶瓷高(gāo)壓極化(huà)設備

 關鍵詞： 晶圓，高(gāo)壓陶瓷，晶圓陶瓷

晶圓上布置的(de)壓電陶瓷片

半導體零部件是指在材料、結構、工藝、品質和(hé)精度、可(kě)靠性及穩定性等性能方面達到半導體設備及技術要求的(de)零部件，如O型密封圈（O-Ring）、傳送模塊（EFEM）、射頻(pín)電源（RFGen）、靜電吸盤（ESC）、矽（Si）環等結構件、真空泵（Pump）、氣體流量計（MFC）、精密軸承、氣體噴淋頭（ShowerHead）等。

JYPZT-JHX01型晶圓陶瓷高(gāo)壓極化(huà)設備是一款能夠對(duì)晶圓分(fēn)布上的(de)小微陶瓷進行極化(huà)，是目前研究晶圓及半導體器件陶瓷先進材料的(de)重要設備。

技術特點：

1、全封閉安全結構，超高(gāo)漏流直接自動斷電

2、夾具設計方便安裝樣品

3、控溫升溫穩定

4、極化(huà)可(kě)以配合ZJ-3型精密D33測試儀進行測試

二、主要技術條件：

1、極化(huà)電壓： (0～10)Kv

2、 總電流：  DC:  20mA

4、測試時(shí)間：1～99min   ±5%  （連續可(kě)調）

5、測試溫度：常溫～180℃  ±(5%+2個(gè)字)（連續可(kě)調）

6、兩電極尺寸：210´320 mm

7、外型尺寸：體積：1450(h)´960(w)´700(d) mm

8、工作條件：環境溫度0～40°C。

9、相對(duì)濕度：不大(dà)于75%。

10、電源：AC: (220± ±10%)V    (50±5%) Hz

11、配套設備裝置：能夠配合ZJ-3和(hé)ZJ-6壓電測試儀進行測量

12、配套設備裝置：可(kě)以配置10MM，20MM，30MM，40MM壓片夾具