描述：内存窗(chuāng)口信息是基于對(duì)器件*集成後進行模拟電滞回線測量後得(de)出的(de)。

應用(yòng)領域：
鐵電存儲器的(de)生産
生産過程中的(de)質量控制，以便不會影(yǐng)響到CMOS生産過程
在MHz的(de)操作速度下(xià)，單級電滞回線數據

優點：
生産過程的(de)工藝優化(huà)
在MHz範圍的(de)時(shí)間影(yǐng)響測試
适用(yòng)于2T-2C 設計和(hé)1T-1C設計

鐵電随機存儲器測試儀
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester

内存窗(chuāng)口信息是基于對(duì)器件*集成後進行模拟電滞回線測量後得(de)出的(de)。

應用(yòng)領域：
鐵電存儲器的(de)生産
生産過程中的(de)質量控制，以便不會影(yǐng)響到CMOS生産過程
在MHz的(de)操作速度下(xià)，單級電滞回線數據

優點：
生産過程的(de)工藝優化(huà)
在MHz範圍的(de)時(shí)間影(yǐng)響測試
适用(yòng)于2T-2C 設計和(hé)1T-1C設計
從模拟測試數據得(de)出内存窗(chuāng)口信息
客戶可(kě)定制測試環境
升級服務
客戶支持

程序功能：
可(kě)以在單一器件上進行電滞回線、PUND脈沖測試等測試過程。
上升時(shí)間可(kě)實現1μm，自定義的(de)測試脈沖可(kě)以用(yòng)于測試不同類型的(de)失效機制。預極化(huà)脈沖參數可(kě)以在測試序列裏單獨設置。
可(kě)以使用(yòng)Access Time程序進行相同脈沖強度下(xià)不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的(de)測試。
這(zhè)些測試是基于的(de)技術：原位寄生電容補償。

特點：
FeRAM測試儀是用(yòng)來(lái)記錄全面的(de)測試單元電滞回線的(de)，測試儀生成所需要的(de)時(shí)間。
如果芯片的(de)布局發生變化(huà)，可(kě)以自動獲取材料特性較大(dà)的(de)陣列。這(zhè)種情況下(xià)，測試儀是用(yòng)一個(gè)開關盒和(hé)一個(gè)探針台工作的(de)。軟件可(kě)以自動調整設置的(de)參數。
參數的(de)統計評價是通(tōng)過aixPlorer完成的(de)。
FeRAM測試儀最大(dà)的(de)優點就是可(kě)以使重要信息流程化(huà)，從而提高(gāo)産量，降低了(le)成本，從而減少了(le)産品上市的(de)時(shí)間。相關的(de)數字結果和(hé)模拟實驗提供了(le)重要信息。
FeRAM測試儀擁有高(gāo)分(fēn)辨測量和(hé)速度到微秒的(de)測量功能。