描述：應用(yòng)領域主要有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多(duō)鐵隧道結
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化(huà)反應存儲器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結
Electronic Effect Memory (EE

RRAM阻變式存儲器測試儀
(RRAM or ReRAM Test Systems)

本設備是世界*的(de)阻變式存儲器 （ReRAM/RRAM，Resistive Random Access Memory）測試系統。

應用(yòng)領域主要有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多(duō)鐵隧道結
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化(huà)反應存儲器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結
Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應存儲器
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱(rè)化(huà)存儲器
Valence Change Memory (VCM) 價變存儲器
Phase Change Memory (PCM) 相變存儲器
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機電存儲器
Molecular Electronic Switch 分(fēn)子電子開關

電阻開關測試系統Resistive Switching Test Systems RS系列儀器是aixACCT公司*産品，用(yòng)于電阻特性随機存儲器（RRAM）和(hé)電阻開關（RS）的(de)研究測試。
RS系列儀器能夠提供相當廣的(de)範圍的(de)測試解決方案，範圍涵蓋從納米尺度的(de)表征到超高(gāo)速器件的(de)測試，從獨立的(de)研發級的(de)桌上型測試系統到半導體生産線。

研究及工業級系統 Research and Industry Tools
模塊化(huà)的(de)設計理(lǐ)念，使得(de)aixACCT産品可(kě)以在任何時(shí)候從基本的(de)材料表征工具升級其他(tā)的(de)選件配置。這(zhè)提供了(le)最大(dà)的(de)靈活性，可(kě)以使您的(de)測試系統達到針對(duì)您的(de)材料或器件發展的(de)任何階段的(de)特定要求。

RRAM測試系統可(kě)以很容易的(de)和(hé)其他(tā)設備或通(tōng)用(yòng)軟件聯用(yòng)，如：
從1英寸到8英寸晶圓的(de)熱(rè)台；
用(yòng)于樣品平行測試的(de)Switchbox系統
用(yòng)于晶圓掃描信息的(de)自動晶圓探針台
自動性能測試序列的(de)遠(yuǎn)程控制
脈沖發生器、數字采樣示波器

aixACCT公司開發出了(le)一種通(tōng)用(yòng)的(de)RS模塊用(yòng)于電阻開關存儲器的(de)測試。系統基于TF Analyzer 2000系統，聯用(yòng)RS模塊和(hé)特定的(de)電流監視放大(dà)器，可(kě)以滿足RRAM的(de)表征。 系統配置了(le)高(gāo)精度電壓和(hé)電流源以及高(gāo)級電壓、電流監視放大(dà)器。aixACCT的(de)超快(kuài)電流和(hé)電壓适應性保證了(le)每次電阻開關系統測試的(de)高(gāo)精度和(hé)可(kě)靠性測量。

該測試系統*兼容aixACCT的(de)測試軟件和(hé)選配軟件工具，可(kě)以提供可(kě)靠性測試和(hé)數據分(fēn)析及交換。

應用(yòng)：
單極及雙極偏壓的(de)I-V表征；
電壓驅動的(de)電流響應測試及電流驅動的(de)電壓響應測試；
可(kě)靠性和(hé)疲勞測試；
可(kě)編程編成程序；
可(kě)靠性和(hé)耐久性測試

優點：
一站式單極偏壓和(hé)雙極偏壓電阻開關材料的(de)綜合評價（TCM,ECM和(hé)VCM系統）；
超快(kuài)響應系統（設置時(shí)間<100ns）；
調停過程電流電壓響應的(de)真實電流電壓值的(de)記錄系統；
可(kě)實現遠(yuǎn)程訪問和(hé)腳本控制；
可(kě)選的(de)數據庫連接（ODBC）方便确定材料/器件特征；
升級服務；客戶支持