描述：HTRS-1000型高(gāo)溫半導體材料電阻率測試儀主要用(yòng)于半導體材料導電性能的(de)評估和(hé)測試，該系統采用(yòng)四線電阻法測量原理(lǐ)進行設計開發，可(kě)以在高(gāo)溫、真空氣氛的(de)條件下(xià)測量半導體材料電阻和(hé)電阻率，可(kě)以分(fēn)析被測樣品電阻和(hé)電阻率随溫度、時(shí)間變化(huà)的(de)曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(cháng)條等測試樣品進行測試，可(kě)以廣泛用(yòng)于半導體材料矽（si）、鍺（ge）,化(huà)合物(wù)半導體材料砷化(huà)镓（GaAs）、銻化(huà)铟（InSb），三元化(huà)合物(wù)半導

HTRS-1000型高(gāo)溫半導體材料電阻率測試儀

       HTRS-1000型高(gāo)溫半導體材料電阻率測試儀主要用(yòng)于半導體材料導電性能的(de)評估和(hé)測試，該系統采用(yòng)四線電阻法測量原理(lǐ)進行設計開發，可(kě)以在高(gāo)溫、真空氣氛的(de)條件下(xià)測量半導體材料電阻和(hé)電阻率，可(kě)以分(fēn)析被測樣品電阻和(hé)電阻率随溫度、時(shí)間變化(huà)的(de)曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(cháng)條等測試樣品進行測試，可(kě)以廣泛用(yòng)于半導體材料矽（si）、鍺（ge）,化(huà)合物(wù)半導體材料砷化(huà)镓(GaAs)、銻化(huà)铟（InSb），三元化(huà)合物(wù)半導體GaAsAl、GaAsP，固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP等的(de)塊體材料的(de)電阻率測量等材料的(de)電阻率測量。

一、産品特點 

1、設備集成度高(gāo)，一體化(huà)設計，精密測量。

2、1000度的(de)高(gāo)溫爐膛，耐高(gāo)溫、抗氧化(huà)的(de)測試夾具，測量精準無誤

3、鉑銥合金材料測試探頭，抗氧化(huà)，經久耐用(yòng)。

4、控溫精度達到±0.5℃，溫度、時(shí)間曲線直觀

5、常溫、高(gāo)溫、真空、流動氣氛等多(duō)種試驗環境

6、各種樣品均可(kě)測試：單樣品塊體測量夾具，針對(duì)圓片、方塊、長(cháng)條等樣品

7、自動保壓，防止擊穿

二、主要技術參數：
溫度範圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測量範圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量範圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環境：惰性氣氛、還(hái)原氣氛、真空氣氛
測量方法：四線電阻法，探針法
測試通(tōng)道：單通(tōng)道或是雙通(tōng)道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高(gāo)溫，抗氧化(huà)）
絕緣材料：99氧化(huà)鋁陶瓷
數據存儲格式：自動分(fēn)析數據，可(kě)以分(fēn)類保存，樣品和(hé)測量方案結合在一起，生成系統所需的(de)實驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數據傳輸：USB
符合标準：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；

工作濕度：+40 ℃ 時(shí)，相對(duì)濕度高(gāo)達 95%（無冷(lěng)凝）
設備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg