描述：GWST-1000型高(gāo)溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）是爲了(le)更方便的(de)研究在高(gāo)溫條件下(xià)的(de)半導體的(de)導電性能，該系統可(kě)以*實現在高(gāo)溫、真空及惰性氣氛條件下(xià)測量矽、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和(hé)外延層、擴散層和(hé)離子層的(de)方塊電阻及測量其他(tā)方塊電阻。

GWST-1000型高(gāo)溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）

關鍵詞：四探針，電阻，方阻

GWST-1000型高(gāo)溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）是爲了(le)更方便的(de)研究在高(gāo)溫條件下(xià)的(de)半導體的(de)導電性能，該系統可(kě)以*實現在高(gāo)溫、真空及惰性氣氛條件下(xià)測量矽、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和(hé)外延層、擴散層和(hé)離子層的(de)方塊電阻及測量其他(tā)方塊電阻。

二、符合：

1、符合GB/T 1551-2009 《矽單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《矽、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美(měi)國 A.S.T.M 标準

二、産品應用(yòng)：

1、測試矽類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的(de)電阻率/方阻；

2、可(kě)測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

3、金屬塗層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）電阻率/方阻

4、納米塗層等半導體材料的(de)電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導體的(de)低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量

6、可(kě)測試電池極片等箔上塗層電阻率方阻

三、主要技術參數

溫度範圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測量範圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量範圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環境：惰性氣氛、還(hái)原氣氛、真空氣氛
測量方法：四線電阻法，探針法
測試通(tōng)道：單通(tōng)道或是雙通(tōng)道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高(gāo)溫，抗氧化(huà)）
絕緣材料：99氧化(huà)鋁陶瓷
數據存儲格式：自動分(fēn)析數據，可(kě)以分(fēn)類保存，樣品和(hé)測量方案結合在一起，生成系統所需的(de)實驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數據傳輸：USB
符合标準：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；

工作濕度：+40 ℃ 時(shí)，相對(duì)濕度高(gāo)達 95%（無冷(lěng)凝）
設備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg