描述：晶圓是指矽半導體集成電路制作所用(yòng)的(de)矽晶片，其形狀爲圓形；晶圓高(gāo)溫測試是集成電路行業一道重要制程，通(tōng)過嚴格的(de)高(gāo)溫測試可(kě)以預先剔除不良芯片，降低後續高(gāo)昂的(de)封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱(rè)裝置是一種特殊設計的(de)均勻加熱(rè)裝置。爲保證晶圓高(gāo)溫測試精度，要求整個(gè)吸盤表面各點的(de)溫度控制在設定溫度±1℃的(de)範圍内，最大(dà)可(kě)以達到±0.03℃，是目前研究晶圓半導體重要輔助工具。

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2024-08-27
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WSHD-600型晶圓均勻加熱(rè)裝置

關鍵詞：晶圓，均勻，6寸

晶圓是指矽半導體集成電路制作所用(yòng)的(de)矽晶片，其形狀爲圓形；晶圓高(gāo)溫測試是集成電路行業一道重要制程，通(tōng)過嚴格的(de)高(gāo)溫測試可(kě)以預先剔除不良芯片，降低後續高(gāo)昂的(de)封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱(rè)裝置是一種特殊設計的(de)均勻加熱(rè)裝置。爲保證晶圓高(gāo)溫測試精度，要求整個(gè)吸盤表面各點的(de)溫度控制在設定溫度±1℃的(de)範圍内，最大(dà)可(kě)以達到±0.03℃，是目前研究晶圓半導體重要輔助工具。

主要技術參數;

1、溫度：室溫-200℃，650℃，1000℃，

2、加熱(rè)速率：40℃/min,

3、加熱(rè)台尺寸：6寸，8寸，12寸等可(kě)以定制

4、控溫精度：±1 ℃

5、加熱(rè)溫度均勻度允許誤差：±1℃

6、加熱(rè)台需可(kě)抗壓：100KN

7、可(kě)配合各種電學測試設備進行電學數據功能采集

8、表面處理(lǐ)：鍍膜，鍍金或是黑(hēi)礬石

9、熱(rè)台材質：不鏽鋼或銅

10、可(kě)以配合各種電學測試系統及探針測試

6寸晶圓在不同溫度下(xià)均勻性

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