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詳細介紹
| 品牌 | Microtrac/拜爾 |
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HTR-4立式4寸快(kuài)速退火爐
HTR-4立式4寸快(kuài)速退火爐（芯片熱(rè)處理(lǐ)設備）廣泛應用(yòng)在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化(huà)合物(wù)半導體和(hé)功率器件等多(duō)種芯片産品的(de)生産，和(hé)歐姆接觸快(kuài)速合金、離子注入退火、氧化(huà)物(wù)生長(cháng)、消除應力和(hé)緻密化(huà)等工藝當中，通(tōng)過快(kuài)速熱(rè)處理(lǐ)以改善晶體結構和(hé)光(guāng)電性能，技術指标高(gāo)、工藝複雜(zá)、專用(yòng)性強。
主要應用(yòng)領域：
1.快(kuài)速熱(rè)處理(lǐ)(RTP)，快(kuài)速退火(RTA)，快(kuài)速熱(rè)氧化(huà)(RTO)，快(kuài)速熱(rè)氮化(huà)(RTN)；
2.離子注入/接觸退火；
3.金屬合金；
4.熱(rè)氧化(huà)處理(lǐ)；
5.化(huà)合物(wù)合金（砷化(huà)镓、氮化(huà)物(wù)等）；
6.多(duō)晶矽退火；
7.太陽能電池片退火；
8.高(gāo)溫退火；
9.高(gāo)溫擴散。
産品特點：
· 可(kě)測大(dà)尺寸樣品：可(kě)測單晶片樣品的(de)尺寸爲4英寸。
· 壓力控制系統創新設計：高(gāo)精度控制壓力，以滿足不同的(de)工藝要求。
· 存儲熱(rè)處理(lǐ)工藝：方便工藝參數調取，提高(gāo)實驗效率，數據可(kě)查詢。
· 快(kuài)速控溫與高(gāo)真空：升溫速率可(kě)達150℃/s，真空度可(kě)達到10-5Pa。
· 程序設定與氣路擴展：可(kě)實現不同溫度段的(de)控制，進行降溫段的(de)自動轉接，并能夠對(duì)工藝菜單進行保存，方便調用(yòng)。采用(yòng)MFC控制氣體流量，實現不同氣氛環境（真空、氮氣等）下(xià)的(de)熱(rè)處理(lǐ)。
· 腔體空間設計：保證大(dà)尺寸樣品的(de)溫場(chǎng)均勻性 ≤1%。
· 全自動智能控制：采用(yòng)全自動智能控制，包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空、冷(lěng)卻水(shuǐ)等均可(kě)實現自動控制。
· 超高(gāo)安全系數：采用(yòng)爐門安全溫度開啓保護、溫控器開啓權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，保障設備使用(yòng)安全。
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· 主要技術參數：
最大(dà)樣品尺寸 | 4英寸（直徑100mm） |
控溫範圍 | RT~1200℃ |
升溫速率（max） | 150℃/s |
高(gāo)溫段降溫速率（max） | 1200℃/min |
控溫精度 | ±0.5℃ |
溫場(chǎng)均勻性 | ≤1% |
氣體流量 | 标配1路MFC控制（氮氣）可(kě)擴展至4路 |
壓力控制 | ~1bar，±100Pa |
工藝條件 | 支持真空、氧化(huà)、還(hái)原、惰性氣體等工藝氣氛，一鍵設置通(tōng)過軟件控制真空及通(tōng)氣時(shí)間 |
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