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HTR-4立式4寸快(kuài)速退火爐(芯片熱(rè)處理(lǐ)設備)廣泛應用(yòng)在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化(huà)合物(wù)半導體和(hé)功率器件等多(duō)種芯片産品的(de)生産,和(hé)歐姆接觸快(kuài)速合金、離子注入退火、氧化(huà)物(wù)生長(cháng)、消除應力和(hé)緻密化(huà)等工藝當中,通(tōng)過快(kuài)速熱(rè)處理(lǐ)以改善晶體結構和(hé)光(guāng)電性能,技術指标高(gāo)、工藝複雜(zá)、專用(yòng)性強。
HTR-01A快(kuài)速退火爐系列采用(yòng)紅外輻射加熱(rè)技術,可(kě)實現1-10片樣品同時(shí)進行,可(kě)實現4寸晶圓片吋樣品快(kuài)速升溫和(hé)降溫,同時(shí)搭配超高(gāo)精度溫度控制系統,可(kě)達到的(de)溫場(chǎng)均勻性,對(duì)材料的(de)快(kuài)速熱(rè)處理(lǐ)(RTP)、快(kuài)速退火(RTA)、快(kuài)速熱(rè)氮化(huà)(RTN)、快(kuài)速熱(rè)氧化(huà)(RTO)及金屬合金化(huà)等研究和(hé)生産起到重要作用(yòng)。 主要應用(yòng)領域: 快(kuài)速熱(rè)處理(lǐ)(RTP),快(kuài)速退火(RTA),快(kuài)速熱(rè)氧化(huà)(RTO),快(kuài)速熱(rè)氮化(huà)(RT