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2024-08-27訪問量
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品牌 | ABB |
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SCD-1500型半導體C-V特性分(fēn)析儀
關鍵詞:半導體,C-V特性,集成電路
SCD-1500型半導體C-V特性分(fēn)析儀創新性地采用(yòng)了(le)雙CPU架構、Linux底層系統、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、内置使用(yòng)說明(míng)及幫助等新一代技術,适用(yòng)于生産線快(kuài)速分(fēn)選、自動化(huà)集成測試及滿足實驗室研發及分(fēn)析。半導體C-V特性分(fēn)析儀測試頻(pín)率爲10kHz-2MHz,VGS電壓可(kě)達±40V,足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體件CV特性測試分(fēn)析。
一、主要應用(yòng)範圍:
半導體元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光(guāng)電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分(fēn)析
半導體材料
晶圓、C-V特性分(fēn)析
液晶材料
彈性常數分(fēn)析
二、性能特點:
通(tōng)道:2(可(kě)擴展至6)
高(gāo)偏置:VGS:0 - ±40V,VDS:0–200V,1500V,3000V
雙CPU架構,最短積分(fēn)時(shí)間0.56ms(1800次/秒)
10.1英寸電容式觸摸屏,分(fēn)辨率1280*800,Linux系統
點測、列表掃描、圖形掃描(選件)三種測試方式
四寄生參數(Ciss、Coss、Crss、Rg)同屏顯示
快(kuài)速導通(tōng)測試Cont
一體化(huà)設計:LCR+高(gāo)壓源+繼電器矩陣
快(kuài)速充電,縮短電容充電時(shí)間,實現快(kuài)速測試
自動延時(shí)設置
10檔分(fēn)選
三、功能特點
A.單點測試,10.1英寸大(dà)屏,四種寄生參數同屏顯示,讓細節一覽無遺
10.1英寸觸摸屏、1280*800分(fēn)辨率,Linux系統、中英文操作界面,支持鍵盤、鼠标、LAN接口,帶來(lái)了(le)無以倫比的(de)操作便捷性。
MOSFET最重要的(de)四個(gè)寄生參數:Ciss、Coss、Crss、Rg在同一個(gè)界面直接顯示測量結果,并将四個(gè)參數測試等效電路圖同時(shí)顯示,一目了(le)然。
多(duō)至6個(gè)通(tōng)道測量參數可(kě)快(kuài)速調用(yòng),分(fēn)選結果在同一界面直接顯示。
B.列表測試,靈活組合
SCD-1500型半導體C-V特性分(fēn)析儀支持最多(duō)6個(gè)通(tōng)道、4個(gè)測量參數的(de)測試及分(fēn)析,列表掃描模式支持不同通(tōng)道、不同參數、不同測量條件任意組合,并可(kě)設置極限範圍,并顯示測量結果 。
C.曲線掃描功能(選件)
SCD-1500型半導體C-V特性分(fēn)析儀支持C-V特性曲線分(fēn)析,可(kě)以對(duì)數、線性兩種方式實現曲線掃描,可(kě)同時(shí)顯示多(duō)條曲線:同一參數、不同Vg的(de)多(duō)條曲線;同一Vg、不同參數多(duō)條曲線 。
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C.曲線掃描功能(選件)
SCD-1500型半導體C-V特性分(fēn)析儀支持C-V特性曲線分(fēn)析,可(kě)以對(duì)數、線性兩種方式實現曲線掃描,可(kě)同時(shí)顯示多(duō)條曲線:同一參數、不同Vg的(de)多(duō)條曲線;同一Vg、不同參數多(duō)條曲線 。
D.簡單快(kuài)捷設置
E.10檔分(fēn)選及可(kě)編程HANDLER接口
儀器提供了(le)10檔分(fēn)選,爲客戶産品質量分(fēn)級提供了(le)可(kě)能,分(fēn)選結果直接輸出至HANDLER接口。
在與自動化(huà)設備連接時(shí),怎麽配置HANDLER接口輸出,一直是自動化(huà)客戶的(de)難題,TH510系列将HANDLER接口腳位、輸入輸出方式、對(duì)應信号、應答(dá)方式等可(kě)視化(huà),讓自動化(huà)連接更簡單。
F.支持定制化(huà),智能固件升級方式
SCD-1500型半導體C-V特性分(fēn)析儀客戶而言是開放的(de),儀器所有接口、指令集均爲開放設計,客戶可(kě)自行編程集成或進行功能定制,定制功能若無硬件更改,可(kě)直接通(tōng)過固件升級方式更新。
儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等,都可(kě)以通(tōng)過升級固件(Firmware)來(lái)進行更新,而無需返廠進行。
固件升級非常智能,可(kě)以通(tōng)過系統設置界面或者文件管理(lǐ)界面進行,智能搜索儀器内存、外接優盤甚至是局域網内升級包,并自動進行升級
G.半導體元件寄生電容知識
在高(gāo)頻(pín)電路中,半導體器件的(de)寄生電容往往會影(yǐng)響半導體的(de)動态特性,所以在設計半導體元件時(shí)需要考慮下(xià)列因數在高(gāo)頻(pín)電路設計中往往需要考慮二極管結電容帶來(lái)的(de)影(yǐng)響;MOS管的(de)寄生電容會影(yǐng)響管子的(de)動作時(shí)間、驅動能力和(hé)開關損耗等多(duō)方面特性;寄生電容的(de)電壓依賴性在電路設計中也(yě)是至關重要,以MOSFET爲例。
技術參數
1、通(tōng)道:2通(tōng)道(可(kě)擴展6通(tōng)道)
2、顯示:液晶顯示,觸摸屏
3、 測量參數:C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|
4、測試頻(pín)率:10kHz-2MHz
5、 精度:0.01%
6、分(fēn)辨率:10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz
7、電壓範圍:5mVrms-2Vrms
8、精度:±(10%×設定值+2mV)
9、 VGS電壓: ±40V,準确度:1%×設定電壓+8Mv,分(fēn)辨率;1mV(0V-±10V)
10、 VDS電壓:0 - 200V
11、精度:1%×設定電壓+100mV
12、 1%×設定電壓+100mV
13、輸出阻抗:100Ω,±2%@1kHz
14、軟件:C-V特性曲線分(fēn)析,對(duì)數、線性兩種方式實現曲線掃描