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品牌 | JINGPIN/晶品 | 産地類别 | 國産 |
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應用(yòng)領域 | 電子,交通(tōng),冶金,航天,電氣 |
BLDL-1000型高(gāo)溫熔融玻璃電導率測試裝置
前沿:
玻璃表面電阻率和(hé)體積電阻率:
此式在玻璃高(gāo)黏度區(qū)(107~1013Pa·s)或低黏度區(qū)(《103Pa·s)是正确的(de),但兩者有不同的(de)常數n。 而在中間區(qū),指數n是變化(huà)的(de).電介質的(de)溫度穩定性以比電阻等于100M0.cm,即1080·cm 的(de)溫度TK-100表征。
在分(fēn)析固态玻璃的(de)電性質時(shí),除體積電導率外,還(hái)必須考慮表面電導率。D在玻璃表面存在水(shuǐ)化(huà)膜、低于100~120"C的(de)溫度範圍内;
2.在玻璃表層可(kě)與周圍氣體介質進行氧化(huà)-還(hái)原反應的(de)條件下(xià);
3.在玻璃制品表面有人(rén)爲的(de)半導體膜、絕緣膜及透光(guāng)膜的(de)情況下(xià),表面電導率較大(dà),甚至有舉足輕重的(de)作用(yòng)。表面比電導率x和(hé)表面比電阻率o.是指邊長(cháng)1cm的(de)正方表面上的(de)電導率(電阻率)。
當溫度低于100'C時(shí),潮濕空氣中,玻璃的(de)表面電導率比體積電導率大(dà)得(de)多(duō).表面電導率主要取決于玻璃的(de)組成、空氣的(de)濕度和(hé)溫度。 溫度和(hé)濕度增加,表面電阻率增加。
玻璃的(de)表面狀态對(duì)表面電導率影(yǐng)響很大(dà)。玻璃表面塗層是改變玻璃表面電導率的(de)方法。 如采用(yòng)塗覆憎水(shuǐ)層(如有機矽化(huà)合物(wù)、石蠟等)可(kě)降低玻璃表面導電性; 表面塗覆具有半導體性質的(de)氧化(huà)物(wù)或金屬薄膜可(kě)增加玻璃表面電導性。
如果不特别說明(míng),下(xià)面討(tǎo)論的(de)是體積電性質。關于玻璃的(de)導電機理(lǐ),可(kě)從過程的(de)活化(huà)能值推斷。活化(huà)能U。(見式p=A,e)玻璃體積電阻率p及電流傳導機理(lǐ)之間存在統計平均關系,即在P200c和(hé)T平衡條件中,氧化(huà)物(wù)玻璃發生電子導電的(de)活化(huà)能值比陽離子導電時(shí)小。
圖4-6示出陽離子導電區(qū)和(hé)電子導電區(qū)的(de)統計平均界線。 硫屬化(huà)物(wù)玻璃和(hé)氟化(huà)物(wù)玻璃不存在這(zhè)種界線。玻璃的(de)電導率與其化(huà)學組成、溫度及熱(rè)力史有關。堿金屬氧化(huà)物(wù)對(duì)玻璃電導率影(yǐng)響特别顯著,存在混合堿效應。
引人(rén)少量Al2O3時(shí),形成[AlO4],電阻率降低,較多(duō)引入時(shí),形成[AIOs],電阻率升高(gāo).當B203爲[BO4]時(shí),電阻率升高(gāo),當B203爲[BO3]時(shí),電阻率降低,高(gāo)場(chǎng)強,高(gāo)配位的(de)離子如Y3+,La3+等填充在網絡空隙中,阻礙了(le)金屬離子的(de)移動,使電導率降低.電導率随溫度的(de)升高(gāo)而增加,Tg以下(xià),玻璃的(de)結構相對(duì)穩定,可(kě)用(yòng)下(xià)式表示:lgK=A-B/T(4-32)Tg~T.以上,玻璃結構的(de)質點發生了(le)重排,離子的(de)電導活化(huà)能不再保持常數,上式不再适用(yòng).T以上,可(kě)用(yòng)下(xià)株式表示:B1lgk=A1-元e(4-33)A1,B1,a1是與玻璃組成有關的(de)常數。
在電真空工業中,常用(yòng)TK-100(即電阻率爲100M·cm時(shí)所需溫度)來(lái)衡量玻璃的(de)電絕緣性.TK-100越高(gāo),玻璃的(de)電絕緣性越好。熱(rè)處理(lǐ)對(duì)玻璃的(de)電導率有很大(dà)的(de)影(yǐng)響,離子導電的(de)玻璃經淬火後其電導率較退火玻璃高(gāo),玻璃微晶化(huà)後能大(dà)大(dà)提高(gāo)其電絕緣性,提高(gāo)程度與析出晶相的(de)種類及玻璃相的(de)組成有關。
此外,分(fēn)相也(yě)會影(yǐng)響玻璃的(de)電導率,但不同的(de)分(fēn)相結構,影(yǐng)響也(yě)不同。
BLDL-1000型高(gāo)溫熔融玻璃電導率測試裝置是一款專門應用(yòng)于熔融玻璃電導率測量的(de),它是一種在高(gāo)溫下(xià)測量玻璃熔體的(de)電導率(電阻率)的(de)裝置。熔體的(de)電導率是用(yòng)雙電極法測量的(de),是目前研究高(gāo)溫熔融玻璃電導率的(de)重要設備。
二、儀器特點
1、多(duō)功能真空加熱(rè)爐,可(kě)實現高(gāo)溫、真空、氣氛環境下(xià)進行測試
2、采用(yòng)鉑材料作爲導線、以減少信号衰減、提高(gāo)測試精度
3、可(kě)以測量玻璃材料的(de)電阻、電阻率
一、應用(yòng)說明(míng):
符合:符合GB/T31838、1410等
二、主要技術參數:
1、溫度:常溫--1400℃
2、電阻測量範圍:10^4Ω~10^16Ω
3、電阻測量精度: 當電阻≤1010Ω,電阻精度在2%以内,當電阻>1010Ω,電阻精度在10%以内升溫速率0-10°C/min,典型值3°C/min
4、電極尺寸:25mm,38mm,50mm,樣品厚度2mm
5、電壓: 0~1000V
6、電極:三環電溫
7、控溫精度:±1°C
8、高(gāo)溫環境:密封測試環境,N2氣氛,氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均爲無色、無臭、氣态的(de)單原子分(fēn)子(自備)
9、設置有排氣口,排氣口添加過濾裝置(如活性炭等)
10、軟件功能:可(kě)連續升溫測試,直接得(de)到體積電阻率、表面電阻率随溫度變化(huà)的(de)曲線
11、溫控功能:可(kě)分(fēn)段升溫測試,在某一溫度點設置持續時(shí)間,直接得(de)到體積電阻率、表面電阻率随時(shí)間變化(huà)的(de)曲線
12、供電:220V±10%,50Hz
13、工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;
14、設備尺寸: L360mm*W370mm*H510mm (以實際爲準)
15、重量:30kg