描述：熱(rè)刺激電流（Thermally Stimulated Current，TSD）技術是通(tōng)過将樣品線性升溫，使材料中不同陷阱能級内的(de)空間電荷脫阱，或使取向的(de)偶極分(fēn)子發生松弛，在外電路上産生電流，獲得(de)電流随溫度的(de)變化(huà)關系的(de)一門技術。通(tōng)過對(duì)所獲得(de)的(de)電流-溫度譜的(de)分(fēn)析、計算(suàn)，可(kě)得(de)到捕獲空間電荷和(hé)取向偶極分(fēn)子的(de)束縛能級、活化(huà)能分(fēn)布和(hé)儲存的(de)電荷密度、脫阱電荷的(de)逃逸頻(pín)率和(hé)平均渡越時(shí)間等參數，是研究材料内部空間電荷

TSC/TSDC-200型熱(rè)刺激電流測試儀

關鍵詞：熱(rè)刺激電流，熱(rè)激勵去極化(huà)，溫度

熱(rè)刺激電流（Thermally Stimulated Current，TSD）技術是通(tōng)過将樣品線性升溫，使材料中不同陷阱能級内的(de)空間電荷脫阱，或使取向的(de)偶極分(fēn)子發生松弛，在外電路上産生電流，獲得(de)電流随溫度的(de)變化(huà)關系的(de)一門技術。通(tōng)過對(duì)所獲得(de)的(de)電流-溫度譜的(de)分(fēn)析、計算(suàn)，可(kě)得(de)到捕獲空間電荷和(hé)取向偶極分(fēn)子的(de)束縛能級、活化(huà)能分(fēn)布和(hé)儲存的(de)電荷密度、脫阱電荷的(de)逃逸頻(pín)率和(hé)平均渡越時(shí)間等參數，是研究材料内部空間電荷受激脫阱後的(de)遷移以及衰減規律、偶極電荷的(de)松弛變化(huà)規律、各種電荷之間的(de)相互作用(yòng)等的(de)重要工具。其在絕緣材料的(de)老化(huà)以及擊穿研究、半導體光(guāng)電材料及其元器件的(de)開發、駐極體材料的(de)研究等領域中得(de)到了(le)廣泛的(de)應用(yòng)。

1、優點：

一個(gè)系統就可(kě)以進行塊體陶瓷材料的(de)熱(rè)激發極化(huà)電流TSDC、壓電和(hé)鐵電進行綜合評價，如傳感器和(hé)執行器

單一軟件進行外部硬件控制（如溫度控制器、高(gāo)壓放大(dà)器、位移傳感器、示波器）和(hé)數據采集

2、遠(yuǎn)程接入和(hé)腳本控制

選件可(kě)實現數據庫連接（ODBC）方便對(duì)材料/設備進行表征

針對(duì)用(yòng)戶應用(yòng)和(hé)要求的(de)硬件

升級服務，用(yòng)戶支持

3、特點：

支持的(de)硬件：

内置或外置的(de)高(gāo)壓放大(dà)器（+/-100V到+/-10 kV）

塊體陶瓷樣品夾具

溫度控制器和(hé)溫度腔

位移傳感器（如激光(guāng)幹涉儀、電容或電感）

外置鎖相放大(dà)器或阻抗橋

4、測試功能：

信号電極化(huà)和(hé)位移（單一極化(huà)和(hé)雙化(huà)）

信号電容、損耗、壓電系數與單一和(hé)雙極直流偏壓

電和(hé)機電随溫度的(de)變化(huà)研究

熱(rè)釋電測試

漏電流測試

疲勞測試

5、主要技術參數：

熱(rè)激勵溫度：-160℃-600℃

控溫精度：±1%

極化(huà)電壓：±10KV

電流：0.5MA

電流測量分(fēn)辨率:10aA (10×10-18A) 電流測量分(fēn)辨率

偏置電流:小于 3fA 輸入偏置電流

高(gāo)精度測量模式：6 1/2 位

電流範圍内的(de)負載電壓：小于 20μV

輸入阻抗 >200TO 時(shí)電壓測量高(gāo)達 200V

内置 +/-1000V 電壓源

多(duō)種獨立變量：溫度、極化(huà)電壓、極化(huà)時(shí)間、升降溫速率等

多(duō)種測量模式：熱(rè)激勵去極化(huà)、熱(rè)激勵極化(huà)、等溫極化(huà)時(shí)域、等溫電導率時(shí)域、等溫弛豫譜、熱(rè)窗(chuāng)弛豫譜，多(duō)種測量參數：樣品電流、電流密度、電荷變化(huà)、介電常數變化(huà)等

通(tōng)訊：USB接口